在线免费观看成年人视频-在线免费观看国产-在线免费观看国产精品-在线免费观看黄网站-在线免费观看精品

產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

當(dāng)前位置： 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比較

Toshiba TK33S10N1Z MOSFET

訂 貨 號：TK33S10N1Z      品牌：東芝_Toshiba

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價：￥0.00

環(huán) 球 價： 登陸后可查看

-
+

公司基本資料信息







  • 關(guān)聯(lián)產(chǎn)品
  • 替代產(chǎn)品
  • 產(chǎn)品介紹
  • 產(chǎn)品屬性
  • 相關(guān)資料
  • 產(chǎn)品評價（0）
Toshiba TK33S10N1Z MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車
開關(guān)穩(wěn)壓器
電機(jī)驅(qū)動器
低漏-源通態(tài)電阻：RDS（接通）= 8.2 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)
低泄漏電流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)
增強(qiáng)模式：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 33 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 DPAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 9.7 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 125 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
典型柵極電荷@Vgs 28 nC @ 10 V
長度 6.5mm
最高工作溫度 +175 °C
寬度 7mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

正在載入評論詳細(xì)...