在线免费观看成年人视频-在线免费观看国产-在线免费观看国产精品-在线免费观看黄网站-在线免费观看精品

產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機械設備產(chǎn)品

當前位置： 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比較

Infineon SI4435DYTRPBF MOSFET

訂 貨 號：SI4435DYTRPBF      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

環(huán) 球 價： 登陸后可查看

-
+

公司基本資料信息







  • 關聯(lián)產(chǎn)品
  • 替代產(chǎn)品
  • 產(chǎn)品介紹
  • 產(chǎn)品屬性
  • 相關資料
  • 產(chǎn)品評價（0）
Infineon SI4435DYTRPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

P 通道功率 MOSFET 30V，Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 P 通道設備，外形可應對幾乎任何板布局和熱設計挑戰(zhàn)。 在整個范圍內(nèi)，基準導通電阻減少了傳導損耗，讓設計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

International Rectifier 的這些 P 溝道 HEXFET 功率 MOSFET 利用最新加工工藝在單位硅面積實現(xiàn)極低導通電阻。此優(yōu)勢為設計人員提供及其高效地設備，用于電池和負載管理應用。SO-8 經(jīng)改良通過自定義引線框增強熱特性和多模能力，特別適合各種電源應用。憑借這些改進，用戶可以在應用中使用多個設備，顯著減少板空間。該封裝設計用于汽相、紅外線或波峰焊接工藝。

優(yōu)點：
P 溝道 MOSFET

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 8 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SO
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 35 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 2.5 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 20 V
寬度 4mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 40 nC @ 10 V
長度 5mm
暫無

正在載入評論詳細...