與功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 類功率 MOSFET 系列可顯著減小電阻和柵極電荷，從而降低損耗并提高操作效率。 這些堅固的設備包含本征二極管，適用于硬切換和諧振模式應用。 X2 類功率 MOSFET 提供各種工業標準封裝，包括隔離類型，具有高達 120A（650V 時）額定值。 典型應用包括：直流-直流轉換器、交流和直流電動機驅動器、開關模式和諧振模式電源、直流斬波、太陽能逆變器、溫度和照明控制。
極低 RDS（接通）和 QG（柵極電荷）
本質整流器二極管
低本質柵極電阻
低封裝電感
工業標準封裝
IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設備
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 12 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 300 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最大功率耗散 | 180 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 晶體管材料 | Si |
| 寬度 | 11.05mm |
| 長度 | 10.41mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 17.7 nC @ 10 V |
