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在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。
 
                        
                    
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 17 A | 
| 最大漏源電壓 | 60 V | 
| 封裝類型 | TO-220AB | 
| 安裝類型 | 通孔 | 
| 引腳數(shù)目 | 3 | 
| 最大漏源電阻值 | 4 mΩ | 
| 通道模式 | 增強 | 
| 最小柵閾值電壓 | 2V | 
| 最大功率耗散 | 310 W | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V | 
| 最高工作溫度 | +175 °C | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | 
| 晶體管材料 | Si | 
| 寬度 | 4.83mm | 
| 長度 | 10.67mm | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 96 nC @ 10 V |