ON Semiconductor 汽車功率 MOSFET 采用收費(fèi)封裝,提供高效設(shè)計和高熱性能。漏極電流為 241.3 A
有效減少傳導(dǎo)損耗
有效減少驅(qū)動器損耗
低接通狀態(tài)電阻
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 241.3 A |
最大漏源電壓 | 80 V |
封裝類型 | H-PSOF8L |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.0017 Ω |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |