ON Semiconductor DFN5 表面安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型產品、具有 60V 的漏電源電壓和 20V 的最大柵源電壓。它在 10V 的柵源電壓下具有 6.1mohm 的漏極電阻。它具有 71A 的連續漏電流和 61W 的最大功耗。 此晶體管的最小和最大驅動電壓分別為 4.5V 和 10V 。MOSFET 經過優化、可降低開關和傳導損耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長的使用壽命、而不會影響性能或功能。
?汽車功率 MOSFET
?緊湊高效的設計
?高散熱性能
?無鉛 (Pb)
?低 QG 和電容可最大限度地減少驅動器損耗
?低 RDS （接通）以最大限度地減少傳導損耗
?工作溫度范圍在 -55°C 和 175°C 之間
?可選配可增強光學檢查功能的可濕式支架
? 汽車
?負載開關 - ECU 、底盤、車身
?電機控制 - EPS 、刮水器、風扇、座椅等
?電源開關（高端驅動器、低端驅動器、 H 形橋等）
?電磁閥驅動器 - ABS 、燃油噴射
?切換電源
? AEC?Q101
? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 71 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | DFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 5 |
| 最大漏源電阻值 | 8.8 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 61 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 20 nC @ 10 V |
| 長度 | 6.1mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 寬度 | 5.1mm |
