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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Vishay SIHG21N80AE-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SIHG21N80AE-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SIHG21N80AE-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

E 系列功率 MOSFET 。

低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容（ CO （ ER ））
減少切換和傳導(dǎo)損耗
應(yīng)用
服務(wù)器和電信電源
開關(guān)模式電源 (SMPS)
功率因數(shù)校正電源 (PFC)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 17.4 A
最大漏源電壓 800 V
封裝類型 TO-247AC
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 235 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 32 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±30 V
寬度 5.31mm
長度 15.87mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 48 nC @ 10 V
暫無

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