在线免费观看成年人视频-在线免费观看国产-在线免费观看国产精品-在线免费观看黄网站-在线免费观看精品

產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機械設(shè)備產(chǎn)品

當(dāng)前位置： 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比較

Vishay SIHF30N60E-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SIHF30N60E-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

環(huán) 球 價： 登陸后可查看

-
+

公司基本資料信息







  • 關(guān)聯(lián)產(chǎn)品
  • 替代產(chǎn)品
  • 產(chǎn)品介紹
  • 產(chǎn)品屬性
  • 相關(guān)資料
  • 產(chǎn)品評價（0）
Vishay SIHF30N60E-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 MOSFET，E 系列，低品質(zhì)因數(shù)，Vishay Semiconductor

Vishay E 系列 MOSFET 電源是高電壓晶體管，具有超低最大接通電阻、低靈敏值和快速切換功能。 它們提供各種電流額定值。 典型應(yīng)用包括服務(wù)器和電信電源、LED 照明、回掃轉(zhuǎn)換器、功率因數(shù)校正 (PFC) 和開關(guān)模式電源 (SMPS)。

特點

低靈敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低輸入電容 (Ciss)
低接通電阻（RDS（接通））
超低柵極電荷 (Qg)
快速切換
減少切換和傳導(dǎo)損耗

MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 29 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 TO-220FP
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 125 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 37 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4.83mm
長度 10.63mm
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 85 nC @ 10 V
暫無

正在載入評論詳細(xì)...