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                            快速本質(zhì)整流器二極管
低 RDS(接通)和 QG(柵極電荷)
低本質(zhì)柵極電阻
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
低封裝電感
高功率密度 
                        
                    
IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設(shè)備
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 37 A | 
| 最大漏源電壓 | 800 V | 
| 封裝類型 | SOT-227B | 
| 安裝類型 | 螺絲安裝 | 
| 引腳數(shù)目 | 4 | 
| 最大漏源電阻值 | 190 mΩ | 
| 通道模式 | 增強 | 
| 最大柵閾值電壓 | 6.5V | 
| 最大功率耗散 | 780 W | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V | 
| 長度 | 38.23mm | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 185 nC @ 10 V | 
| 寬度 | 25.07mm | 
| 最高工作溫度 | +150 °C | 
| 晶體管材料 | Si | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |