在线免费观看成年人视频-在线免费观看国产-在线免费观看国产精品-在线免费观看黄网站-在线免费观看精品

產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機械設備產(chǎn)品

當前位置： 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比較

onsemi FQU11P06TU MOSFET

訂 貨 號：FQU11P06TU      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

環(huán) 球 價： 登陸后可查看

-
+

公司基本資料信息







  • 關聯(lián)產(chǎn)品
  • 替代產(chǎn)品
  • 產(chǎn)品介紹
  • 產(chǎn)品屬性
  • 相關資料
  • 產(chǎn)品評價（0）
onsemi FQU11P06TU MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

增強模式 P 通道 MOSFET ， ON Semiconductor

在半導體方面， P 通道 MOSFET 采用半導體專有的高細胞密度 DMOS 技術制造。這種非常高密度的過程旨在最大限度地減少狀態(tài)電阻，從而為快速交換提供堅固可靠的性能。

特點和優(yōu)勢：

?電壓控制的 P 通道小信號開關
?高密度單元設計
?高飽和度電流
?卓越的交換性能
?堅固耐用、可靠的性能
* DMOS 技術

應用：

?負載切換
? DC/DC 轉換器
?電池保護
?電源管理控制
?直流電機控制

半導體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 9.4 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 IPAK (TO-251)
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 185 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 2.5 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
長度 6.6mm
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 13 nC @ 10 V
寬度 2.3mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

正在載入評論詳細...