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訂 貨 號(hào):IXFN82N60P 品牌:艾賽思_IXYS
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二極管 (HiPerFET?)
IXYS 的一系列高級(jí)離散電源 MOSFET 設(shè)備
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 72 A | 
| 最大漏源電壓 | 600 V | 
| 封裝類型 | SOT-227B | 
| 安裝類型 | 螺絲安裝 | 
| 引腳數(shù)目 | 4 | 
| 最大漏源電阻值 | 75 mΩ | 
| 通道模式 | 增強(qiáng) | 
| 最大柵閾值電壓 | 5V | 
| 最大功率耗散 | 1.04 kW | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V | 
| 最高工作溫度 | +150 °C | 
| 長(zhǎng)度 | 38.2mm | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 240 nC @ 10 V | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | 
| 寬度 | 25.07mm | 
| 晶體管材料 | Si |