UItraFET? Trench MOSFET 組合了在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實現(xiàn)基準效率的特性。 該設(shè)備可耐受雪崩模式中的高能量,且二極管展現(xiàn)出非常短的反向恢復(fù)時間和積累電荷。 為高頻率時的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低總柵極電荷和 Miller 柵極電荷進行了優(yōu)化。
應(yīng)用:高頻直流-直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)調(diào)節(jié)器、電動機驅(qū)動器、低電壓總線開關(guān)和電源管理。
在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 3.9 A |
| 最大漏源電壓 | 200 V |
| 封裝類型 | SOIC |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 148 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 寬度 | 3.9mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 33 nC @ 10 V |
| 長度 | 4.9mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |