 
    
    
    
   一系列 IXYS Polar3? 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二極管 (HiPerFET?)
IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設備
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 210 A | 
| 最大漏源電壓 | 300 V | 
| 封裝類型 | PLUS264 | 
| 安裝類型 | 通孔 | 
| 引腳數(shù)目 | 3 | 
| 最大漏源電阻值 | 14.5 mΩ | 
| 通道模式 | 增強 | 
| 最大柵閾值電壓 | 5V | 
| 最大功率耗散 | 1.89 kW | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | 
| 寬度 | 5.31mm | 
| 晶體管材料 | Si | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 268 nC @ 10 V | 
| 長度 | 20.29mm | 
| 最高工作溫度 | +150 °C |