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onsemi FDMS3572 MOSFET

訂 貨 號：FDMS3572      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

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onsemi FDMS3572 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

UltraFET? MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor

UItraFET? Trench MOSFET 組合了在功率轉換應用中實現(xiàn)基準效率的特性。 該設備可耐受雪崩模式中的高能量，且二極管展現(xiàn)出非常短的反向恢復時間和積累電荷。 為高頻率時的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低總柵極電荷和 Miller 柵極電荷進行了優(yōu)化。
應用：高頻直流-直流轉換器、開關調(diào)節(jié)器、電動機驅(qū)動器、低電壓總線開關和電源管理。

半導體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 48 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 Power 56
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 29 mΩ
通道模式 增強
最大功率耗散 78 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
寬度 6mm
典型柵極電荷@Vgs 28 nC @ 10 V
長度 5mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
暫無

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