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onsemi FQD12N20LTM MOSFET

訂 貨 號：FQD12N20LTM      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

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onsemi FQD12N20LTM MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

QFET? N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，F(xiàn)airchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先進的專利技術(shù)為廣泛的應用提供最佳的工作性能，包括電源、PFC（功率因數(shù)校正）、直流－直流轉(zhuǎn)換器、等離子顯示面板 (PDP)、照明鎮(zhèn)流器和運動控制。
它們通過降低導通電阻 (RDS(on)) 來減少通態(tài)損耗，并通過降低柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss) 來減少切換損耗。 通過使用先進的 QFET? 工藝技術(shù)，F(xiàn)airchild 可提供比競爭平面 MOSFET 設備更高的品質(zhì)因素 (FOM)。

半導體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 9 A
最大漏源電壓 200 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 280 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 2.5 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
晶體管材料 Si
寬度 6.1mm
長度 6.6mm
典型柵極電荷@Vgs 16 nC @ 5 V
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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