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產(chǎn)品分類
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onsemi FDV304P MOSFET

訂 貨 號(hào)：FDV304P      品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi FDV304P MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

增強(qiáng)模式 P 通道 MOSFET ， ON Semiconductor

在半導(dǎo)體方面， P 通道 MOSFET 采用半導(dǎo)體專有的高細(xì)胞密度 DMOS 技術(shù)制造。這種非常高密度的過程旨在最大限度地減少狀態(tài)電阻，從而為快速交換提供堅(jiān)固可靠的性能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

?電壓控制的 P 通道小信號(hào)開關(guān)
?高密度單元設(shè)計(jì)
?高飽和度電流
?卓越的交換性能
?堅(jiān)固耐用、可靠的性能
* DMOS 技術(shù)

應(yīng)用：

?負(fù)載切換
? DC/DC 轉(zhuǎn)換器
?電池保護(hù)
?電源管理控制
?直流電機(jī)控制

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動(dòng)模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 460 mA
最大漏源電壓 25 V
封裝類型 SOT-23
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 1.1 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 0.65V
最大功率耗散 350 mW
晶體管配置 單
最大柵源電壓 +8 V
最高工作溫度 +150 °C
晶體管材料 Si
長(zhǎng)度 2.92mm
典型柵極電荷@Vgs 1.1 nC @ 4.5 V
寬度 1.3mm
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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