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                            N 通道 - 增強模式
符合汽車 AEC Q101 規(guī)格
MSL1 高達 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色封裝(無鉛)
超低 Rds(on) 
                        
                    
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 46 A | 
| 最大漏源電壓 | 60 V | 
| 封裝類型 | TDSON | 
| 安裝類型 | 表面貼裝 | 
| 引腳數目 | 8 | 
| 最大漏源電阻值 | 14.6 mΩ | 
| 通道模式 | 增強 | 
| 最大柵閾值電壓 | 3.3V | 
| 最小柵閾值電壓 | 2.1V | 
| 最大功率耗散 | 36 W | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V | 
| 最高工作溫度 | +150 °C | 
| 長度 | 5.35mm | 
| 寬度 | 6.1mm | 
| 每片芯片元件數目 | 1 | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 12 nC @ 10 V | 
| 晶體管材料 | Si |