 
    
    
    
   與前幾代的功率MOSFET 相比, IXYS X2 類 HiPerFET 功率MOSFET 系列顯著降低電阻和柵極電荷,從而降低了損耗,提高了操作效率。這些堅(jiān)固耐用的器件包含增強(qiáng)型高速固有二極管,適用于硬切換和諧振模式應(yīng)用。X2 類功率MOSFET可采用多種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,包括隔離型,在 650V 時額定電流高達(dá) 120A。典型應(yīng)用包括直流 - 直流轉(zhuǎn)換器,交流和直流電動機(jī)驅(qū)動器,開關(guān)模式和諧振模式電源,直流截波器,太陽能逆變器,溫度和照明控制。
                        
                            非常低的 RDS (接通) 和 QG (柵極電荷) 
快速固有整流器二極管 
低固有柵極電阻 
低封裝電感 
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝 
                        
                    
IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設(shè)備
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 34 A | 
| 最大漏源電壓 | 650 V | 
| 封裝類型 | TO-247 | 
| 安裝類型 | 通孔 | 
| 引腳數(shù)目 | 3 | 
| 最大漏源電阻值 | 100 mΩ | 
| 通道模式 | 增強(qiáng) | 
| 最大柵閾值電壓 | 5V | 
| 最小柵閾值電壓 | 2.7V | 
| 最大功率耗散 | 540 W | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V | 
| 最高工作溫度 | +150 °C | 
| 長度 | 16.24mm | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 56 nC @ 10 V | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | 
| 晶體管材料 | Si | 
| 寬度 | 21.45mm |