增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 這種高密度工藝設(shè)計用于盡量減小通態(tài)電阻,提供耐用可靠的性能和快速切換。
在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時間。
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 12 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 180 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 48 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 長度 | 6.73mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 寬度 | 6.22mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 10 nC @ 5 V |