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onsemi FDD5614P MOSFET

訂 貨 號：FDD5614P      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

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onsemi FDD5614P MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

PowerTrench? P 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor

PowerTrench? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關(guān)，可提高系統(tǒng)效率和功率密度。 它們組合了小柵極電荷 (Qg)、小反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 和軟性反向恢復(fù)主體二極管，有助于快速切換交流/直流電源中的同步整流。
最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽柵極結(jié)構(gòu)，可提供電荷平衡。 利用這一先進技術(shù)，這些設(shè)備的 FOM（品質(zhì)因素）顯著低于之前的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 15 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 100 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 42 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +175 °C
寬度 6.22mm
典型柵極電荷@Vgs 15 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
長度 6.73mm
暫無

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