 
    
    
    
   
                        
                            UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高電壓 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通態(tài)電阻,還提供卓越的切換性能和較高雪崩能量強度。 此外,內部柵極-源極 ESD 二極管讓 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超過 2000V HBM 浪涌應力。
UniFET? MOSFET 適用于開關電源轉換器應用,如功率因數(shù)校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) 電視電源、ATX(先進技術擴展)和電子燈鎮(zhèn)流器。 
                        
                    
                        
                            在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。
 
                        
                    
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 100 A | 
| 最大漏源電壓 | 500 V | 
| 封裝類型 | TO-264 | 
| 安裝類型 | 通孔 | 
| 引腳數(shù)目 | 3 | 
| 最大漏源電阻值 | 55 mΩ | 
| 通道模式 | 增強 | 
| 最小柵閾值電壓 | 3V | 
| 最大功率耗散 | 2.5 kW | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 238 nC @ 10 V | 
| 最高工作溫度 | +150 °C | 
| 晶體管材料 | Si | 
| 寬度 | 5mm | 
| 長度 | 20mm |