設計用于盡量減少功率轉(zhuǎn)換的損耗,同時保持極佳的切換性能
高性能通道技術(shù),RDS(接通)極低
SyncFET? 得益于高效的肖特基主體二極管
應用:同步整流直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動機驅(qū)動器、網(wǎng)絡負載點低側(cè)開關(guān)
在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 199 A |
| 最大漏源電壓 | 25 V |
| 封裝類型 | Power 56 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 1.8 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 89 W |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 寬度 | 6mm |
| 長度 | 5mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 85 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |