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Infineon BSS83PH6327XTSA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):BSS83PH6327XTSA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon BSS83PH6327XTSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET

Infineon SIPMOS? 小信號(hào) P 通道 MOSFET 具有多種功能,可能包括增強(qiáng)模式、連續(xù)漏極電流(約低至 80A)及寬工作溫度范圍。 SIPMOS 功率晶體管可用于多種應(yīng)用,包括電信、eMobility、筆記本、直流/直流設(shè)備以及汽車工業(yè)。

· 符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)(請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表)
· 無鉛引線電鍍,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 330 mA
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 SOT-23
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 3 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 360 mW
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 2.38 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 2.9mm
最高工作溫度 +150 °C
寬度 1.3mm
晶體管材料 Si
暫無

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