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訂 貨 號(hào):BSS83PH6327XTSA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

                        
                            Infineon SIPMOS? 小信號(hào) P 通道 MOSFET 具有多種功能,可能包括增強(qiáng)模式、連續(xù)漏極電流(約低至 80A)及寬工作溫度范圍。 SIPMOS 功率晶體管可用于多種應(yīng)用,包括電信、eMobility、筆記本、直流/直流設(shè)備以及汽車(chē)工業(yè)。
   
                        
                    
                        
                            · 符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)(請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表)
· 無(wú)鉛引線電鍍,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) 
                        
                    
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類(lèi)型 | P | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 330 mA | 
| 最大漏源電壓 | 60 V | 
| 封裝類(lèi)型 | SOT-23 | 
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 | 
| 引腳數(shù)目 | 3 | 
| 最大漏源電阻值 | 3 Ω | 
| 通道模式 | 增強(qiáng) | 
| 最大柵閾值電壓 | 2V | 
| 最小柵閾值電壓 | 1V | 
| 最大功率耗散 | 360 mW | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 2.38 nC @ 10 V | 
| 長(zhǎng)度 | 2.9mm | 
| 最高工作溫度 | +150 °C | 
| 寬度 | 1.3mm | 
| 晶體管材料 | Si |