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                            ? MOSFET 斷開尾線電流和二極管反向恢復電流為有效零。
? 超低損耗高頻操作
? 因 SiC 特性而易于并聯
? 常閉,故障安全操作
? 銅基板和氮化鋁絕緣體,可降低熱要求 
                        
                    
| 屬性 | 數值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續漏極電流 | 404 A | 
| 最大漏源電壓 | 1200 V | 
| 封裝類型 | 半橋 | 
| 安裝類型 | 螺絲安裝 | 
| 引腳數目 | 7 | 
| 最大漏源電阻值 | 9.8 mΩ | 
| 通道模式 | 增強 | 
| 最大柵閾值電壓 | 2.3V | 
| 最小柵閾值電壓 | 1.8V | 
| 最大功率耗散 | 1.66 kW | 
| 晶體管配置 | 串行 | 
| 最大柵源電壓 | -10 V, +25 V | 
| 寬度 | 61.4mm | 
| 每片芯片元件數目 | 2 | 
| 最高工作溫度 | +150 °C | 
| 晶體管材料 | SiC | 
| 長度 | 106.4mm | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 1025 nC @ 20 V,1025 nC @ 5 V |