Wolfspeed Z-Fet?，C2M?和C3M?碳化硅功率MOSFET。Cree功率分部Wolfspeed的一系列第二代 SiC MOSFET，可提供行業領先的功率密度和切換效率。這些低電容設備可實現更高的切換頻率，并降低了散熱要求，從而提高了整體系統工作效率。
? 增強模式N通道SiC技術
? 高漏源擊穿電壓-高達1200V
? 多個設備易于并行且易于驅動
? 高速開關，導通電阻低
? 防閂鎖操作
Wolfspeed MOSFET實現了更高開關頻率，并且減小了電感器、電容器、濾波器、變壓器等組件的尺寸。Wolfspeed的碳化硅MOSFET取代硅器件，可降低開關損耗和傳導損耗，并實現更高阻斷電壓和雪崩能力。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 31 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 208 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.2V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.7V |
| 最大功率耗散 | 208 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -10 V, +25 V |
| 長度 | 16.13mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 49.2 nC @ 20 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 晶體管材料 | SiC |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 5.21mm |
