Wolfspeed Z-Fet?,C2M?和C3M?碳化硅功率MOSFET。Cree功率分部Wolfspeed的一系列第二代 SiC MOSFET,可提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度和切換效率。這些低電容設(shè)備可實現(xiàn)更高的切換頻率,并降低了散熱要求,從而提高了整體系統(tǒng)工作效率。
? 增強模式N通道SiC技術(shù)
? 高漏源擊穿電壓-高達1200V
? 多個設(shè)備易于并行且易于驅(qū)動
? 高速開關(guān),導(dǎo)通電阻低
? 防閂鎖操作
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 36 A |
| 最大漏源電壓 | 900 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 78 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.1V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.8V |
| 最大功率耗散 | 125 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -8 V、+18 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 30.4 nC @ 15 V |
| 寬度 | 21.1mm |
| 長度 | 16.13mm |
| 晶體管材料 | SiC |