 
    
    
    
   這些低電壓 (LV) MOSFET 提供低通態(tài)電阻和快速切換性能。
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 100 A | 
| 最大漏源電壓 | 30 V | 
| 封裝類型 | PowerDFN56 | 
| 安裝類型 | 表面貼裝 | 
| 引腳數(shù)目 | 8 | 
| 最大漏源電阻值 | 4.4 mΩ | 
| 通道模式 | 增強(qiáng) | 
| 最大柵閾值電壓 | 2.7V | 
| 最大功率耗散 | 73.5 W | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 41.5 nC @ 10 V | 
| 最高工作溫度 | +150 °C | 
| 長(zhǎng)度 | 6.1mm | 
| 晶體管材料 | Si | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | 
| 寬度 | 5.1mm |