 
    
    
    
   這些 MOSFET 使用 MagnaChip 的超級接線盒技術(shù)提供低接通電阻和柵極電荷。 通過采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)可使其高效。
                        
                            低 EMI
具有高速切換和低接通電阻,提供低功耗 
                        
                    
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 11 A | 
| 最大漏源電壓 | 600 V | 
| 封裝類型 | TO-220F | 
| 安裝類型 | 通孔 | 
| 引腳數(shù)目 | 3 | 
| 最大漏源電阻值 | 360 mΩ | 
| 通道模式 | 增強(qiáng) | 
| 最大柵閾值電壓 | 4V | 
| 最大功率耗散 | 31 W | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | 
| 長度 | 10.71mm | 
| 晶體管材料 | Si | 
| 寬度 | 4.93mm | 
| 最高工作溫度 | +150 °C | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 28 nC @ 10 V |