 
    
    
    
   這些 N 通道小型信號 MOSFET 采用 ON Semiconductor 專有的高單元密度 DMOS 技術。這些產品旨在最大限度地降低電阻,同時提供堅固、可靠和快速的交換性能。它們可用于大多數需要高達 400mA 直流電的應用中,并可提供高達 2A 的脈沖電流這些產品特別適合低壓低電流應用。
                        
                            電壓控制小信號開關
高飽和度電流能力
堅固且可靠
低 RDS 的高密度單元格設計(開)
應用
小型伺服馬達控制
功率 MOSFET 閘極驅動器
分類切換應用 
                        
                    
| 屬性 | 數值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 200 mA | 
| 最大漏源電壓 | 60 V | 
| 封裝類型 | TO-92 | 
| 安裝類型 | 通孔 | 
| 引腳數目 | 3 | 
| 最大漏源電阻值 | 9 Ω | 
| 通道模式 | 增強 | 
| 最大柵閾值電壓 | 3V | 
| 最小柵閾值電壓 | 0.8V | 
| 最大功率耗散 | 400 mW | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | ±20 V | 
| 長度 | 5.2mm | 
| 每片芯片元件數目 | 1 | 
| 最高工作溫度 | +150 °C | 
| 寬度 | 4.19mm |