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訂 貨 號:BSC123N08NS3GATMA1 品牌:GAT
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
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OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝,可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用,在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計(jì)符合并超過計(jì)算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。
                        
                            快速切換 MOSFET,用于 SMPS 
優(yōu)化技術(shù),用于直流/直流轉(zhuǎn)換器 
符合目標(biāo)應(yīng)用的 JEDEC1 規(guī)格 
N 通道,邏輯電平 
極佳的柵極電荷 x R DS(on) 產(chǎn)品 (FOM) 
極低導(dǎo)通電阻 R DS(on) 
無鉛電鍍 
                        
                    
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 通道類型 | N | 
| 最大連續(xù)漏極電流 | 55 A | 
| 最大漏源電壓 | 80 V | 
| 封裝類型 | TDSON | 
| 安裝類型 | 表面貼裝 | 
| 引腳數(shù)目 | 8 | 
| 最大漏源電阻值 | 24 mΩ | 
| 通道模式 | 增強(qiáng) | 
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V | 
| 最小柵閾值電壓 | 2V | 
| 最大功率耗散 | 66 W | 
| 晶體管配置 | 單 | 
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V | 
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 | 
| 最高工作溫度 | +150 °C | 
| 長度 | 5.35mm | 
| 寬度 | 6.1mm | 
| 晶體管材料 | Si | 
| 典型柵極電荷@Vgs | 19 nC @ 10 V |