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低泄漏電流: < 最大為 20mA,擊穿電壓時
400W 峰值脈沖功率 (8/20μs) 
                        
                    
| 屬性 | 數值 | 
|---|---|
| 方向類型 | 單向 | 
| 二極管配置 | 共陽極 | 
| 最小擊穿電壓 | 6.1V | 
| 安裝類型 | 表面貼裝 | 
| 封裝類型 | SOIC | 
| 最大反向待機電壓 | 5V | 
| 引腳數目 | 8 | 
| 峰值脈沖功率耗散 | 200W | 
| ESD保護 | 是 | 
| 每片芯片元件數目 | 6 | 
| 最低工作溫度 | -55 °C | 
| 最高工作溫度 | +125 °C | 
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.25mm |