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                            緊湊型 SEMITOP? 封裝
適用于高達 12kHz 的切換頻率
絕緣銅基板使用直接粘結(jié)技術(shù) 
                        
                    
 
                絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 屬性 | 數(shù)值 | 
|---|---|
| 最大連續(xù)集電極電流 | 300 A | 
| 最大集電極-發(fā)射極電壓 | 1200 V | 
| 最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V | 
| 配置 | 雙半橋 | 
| 封裝類型 | SEMITRANS3 | 
| 安裝類型 | 面板安裝 | 
| 通道類型 | N | 
| 引腳數(shù)目 | 7 | 
| 晶體管配置 | 串行 | 
| 尺寸 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |