概述
壓力范圍
高精度硅陶瓷 (HSC) 系列是壓阻式硅壓力傳感器，提供成比例的模擬輸出或數(shù)字輸出，用于在指定的滿量程壓力跨度和溫度范圍內(nèi)提供壓力讀數(shù)。HSC 系列能夠利用電路板上的專用集成電路 (ASIC) 對傳感器零位、靈敏度、溫度系數(shù)和非線性執(zhí)行全面的校準和溫度補償。以約 1 kHz 和 2 kHz 的速率分別更新經(jīng)校準的模擬輸出值和數(shù)字輸出值。
HSC 系列在 0°C 到 50°C [32°F 到 122°F] 的溫度范圍內(nèi)進行校準。此傳感器的特點是可在 3.3 Vdc 或 5.0 Vdc 單電源條件下工作。
這些傳感器可測量絕壓、表壓或差壓。絕壓型傳感器使用真空壓力作為內(nèi)部參考值，其輸出值與絕壓成比例。表壓型傳感器以大氣壓力為參考，提供與大氣壓力相差成比例的輸出值。差壓傳感器可在兩個壓力端口之間測量壓力。
TruStability? 壓力傳感器旨在與非腐蝕和非離子氣體配合使用，例如空氣和其他干燥氣體。可用選項將這些傳感器的性能擴展到壓力范圍高于 40 mbar | 4 kPa | 20 inH2O
全部產(chǎn)品均按照 ISO 9001 標準設計和制造。
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| HSCDAND001BASA3 | 數(shù)字 SPI | 0 bar 至 1 bar | 絕壓 | ±1 %FSS |
| HSCDAND015PDSA3 | 數(shù)字 SPI | ±15 psi | 差壓 | ±1 %FSS |
| HSCDAND015PG2A3 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | 0 psi 至 15 psi | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDAND400MGAA3 | 模擬式 | 0 mbar 至 400 mbar | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDAND600MG2A3 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | 0 mbar 至 600 mbar | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN001BA2A3 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | 0 bar 至 1 bar | 絕壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN001BG2A5 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | 0 bar 至 1 bar | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN001BGAA3 | 模擬式 | 0 bar 至 1 bar | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN001PG2A5 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | 0 bar 至 1 bar | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN001PGSA5 | 數(shù)字 SPI | 0 psi 至 1 psi | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN004MGSA5 | 數(shù)字 SPI | 0 mbar 至 4 mbar | 表壓 | ±3 %FSS |
| HSCDANN004NG2A3 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | 0 inH2O 至 4 inH2O | 表壓 | ±1.5 %FSS |
| HSCDANN005PGSA3 | 數(shù)字 SPI | 0 psi 至 5 psi | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN005PGSA5 | 數(shù)字 SPI | 0 psi 至 5 psi | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN010BGAA5 | 模擬式 | 0 bar 至 10 bar | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN015PA2A5 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | 0 psi 至 15 psi | 絕壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN015PAAA5 | 模擬式 | 0 psi 至 15 psi | 絕壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN015PGAA5 | 模擬式 | 0 psi 至 15 psi | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN1.6BASA5 | 數(shù)字 SPI | 0 bar 至 1.6 bar | 絕壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN150PG2A5 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | 0 psi 至 150 psi | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN150PG7A5 | 數(shù)字 I2C 地址：0x78 | 0 psi 至 150 psi | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN250MGAA5 | 模擬式 | 0 mbar 至 250 mbar | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANN600MGAA5 | 模擬式 | 0 mbar 至 600 mbar | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANV001PGSA3 | 數(shù)字 SPI | 0 psi 至 1 psi | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDANV005PG2A5 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | 0 psi 至 5 psi | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDDRD001PD2A3 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | ±1 psi | 差壓 | ±1 %FSS |
| HSCDDRD005PD3A3 | 數(shù)字 I2C 地址：0x38 | ±5 psi | 差壓 | ±1 %FSS |
| HSCDLND001PG2A3 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | 0 psi 至 1 psi | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDLND001PGAA5 | 模擬式 | 0 psi 至 1 psi | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDLNN001PDAA3 | 模擬式 | ±1 psi | 差壓 | ±1 %FSS |
| HSCDLNN001PGAA5 | 模擬式 | 0 psi 至 1 psi | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDLNN006MGAA5 | 模擬式 | 0 mbar 至 6 mbar | 表壓 | ±2.5 %FSS |
| HSCDLNN060MGAA5 | 模擬式 | 0 mbar 至 60 mbar | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDLNN160MGAA5 | 模擬式 | 0 mbar 至 160 mbar | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCDRNN030PAAA3 | 模擬式 | 0 psi 至 30 psi | 絕壓 | ±1 %FSS |
| HSCDRRD160MDSA3 | 數(shù)字 SPI | ±160 mbar | 差壓 | ±1 %FSS |
| HSCDRRN001ND2A5 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | ±1 inH2O | 差壓 | ±3 %FSS |
| HSCDRRN001PDAA5 | 模擬式 | ±1 psi | 差壓 | ±1 %FSS |
| HSCDRRN002NDAA3 | 模擬式 | ±2 inH2O | 差壓 | ±1.5 %FSS |
| HSCDRRN005PD2A5 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | ±5 psi | 差壓 | ±1 %FSS |
| HSCDRRN010MD2A3 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | ±10 mbar | 差壓 | ±1 %FSS |
| HSCDRRN015PDAA5 | 模擬式 | ±15 psi | 差壓 | ±1 %FSS |
| HSCDRRN015PDSA5 | 數(shù)字 SPI | ±15 psi | 差壓 | ±1 %FSS |
| HSCDRRN400MD2A3 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | ±400 mbar | 差壓 | ±1 %FSS |
| HSCDRRV001PD2A3 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | ±1 psi | 差壓 | ±1 %FSS |
| HSCMAND001BAAA5 | 模擬式 | 0 bar 至 1 bar | 絕壓 | ±1 %FSS |
| HSCMAND001PGAA5 | 模擬式 | 0 psi 至 1 psi | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCMAND005PGAA5 | 模擬式 | 0 psi 至 5 psi | 表壓 | ±1 %FSS |
| HSCMAND015PA2A3 | 數(shù)字 I2C 地址：0x28 | 0 psi 至 15 psi | 絕壓 | ±1 %FSS |
| HSCMAND015PASA5 | 數(shù)字 SPI | 0 psi 至 15 psi | 絕壓 | ±1 %FSS |
