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onsemi IRL640A MOSFET IRL640A, N-Channel Logic Level A-FET 200V 18A 180mOhm Data Sheet

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更新日期：2022-10-13    瀏覽次數(shù)：82    下載次數(shù)：0
onsemi IRL640A MOSFET IRL640A, N-Channel Logic Level A-FET 200V 18A 180mOhm Data Sheet
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onsemi IRL640A MOSFET IRL640A, N-Channel Logic Level A-FET 200V 18A 180mOhm Data Sheet
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增強(qiáng)模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 這種高密度工藝設(shè)計(jì)用于盡量減小通態(tài)電阻，提供耐用可靠的性能和快速切換。